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碳化硅衬底片
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碳化硅(SiC)——第三代半导体单晶材料

迄今为止,以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一、第二代半导体推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。随着电力电子技术的飞速发展,半导体器件需求也在增加,电流、电压等级越来越高,芯片越薄越小,导通压降低,开关频率高、损耗小等等。Si基半导体由于材料特性所限已经无法满足需求,而以碳化硅SiC等新材料为主的新型半导体材料,以其优越的性能突破Si的瓶颈,给半导体器件性能带来了显著提升。
碳化硅SiC半导体器件的优势
(1)比导通电阻是Si器件的近千分之一(在相同的电压/电流等级),可以大大降低器件的导通损耗; (2)开关频率是硅器件的20倍,可以大大减小电路中储能元件的体积,从而成倍的减小设备体积,减少贵重金属等设备的消耗; (3)理论上可以在600度以上的高温环境下工作,并有抗辐射的优势,可以大大提高系统的可靠性,在能源转换领域具有巨大的技术优势和应用价值。
碳化硅晶体6英寸
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碳化硅晶体4英寸
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加工后SiC单晶片
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